Datasheet4U Logo Datasheet4U.com

EMBE0N10Q Datasheet - Excelliance MOS

EMBE0N10Q-ExcellianceMOS.pdf

Preview of EMBE0N10Q PDF
EMBE0N10Q Datasheet Preview Page 2 EMBE0N10Q Datasheet Preview Page 3

Datasheet Details

Part number:

EMBE0N10Q

Manufacturer:

Excelliance MOS

File Size:

195.86 KB

Description:

Mosfet.

EMBE0N10Q, MOSFET

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  500mΩ  ID  2.1A  G   UIS 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  VGS  ID  IDM  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temper

📁 Related Datasheet

📌 All Tags

Excelliance MOS EMBE0N10Q-like datasheet