Part number:
SFH495P
Manufacturer:
Siemens Semiconductor Group
File Size:
43.77 KB
Description:
Gaas-ir-lumineszenzdiode gaas infrared emitter.
SFH495P_SiemensSemiconductorGroup.pdf
Datasheet Details
Part number:
SFH495P
Manufacturer:
Siemens Semiconductor Group
File Size:
43.77 KB
Description:
Gaas-ir-lumineszenzdiode gaas infrared emitter.
SFH495P, GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Stoßstrom, tp = 200 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlun
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 29 27 5.0 4.2 Anode 2.54 mm spacing 5.9 5.5 0.6 0.4 0.8 0.4 Area not flat Chip position GEX06971 Area not flat 0.6 0.4 6.9 6.1 5.7 5.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 5.9 5.5 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) ø5.1 ø4.8 4.0 3.4 Chip position 0.6 0.4 GEX06630 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Stimulierter Emitter mit sehr ho
SFH495P Features
* q Stimulated emitter with high efficiency q Laser diode in diffuse package q Suitable esp. for pulse operation at high Wirkungsgrad Laserdiode in diffusem Gehäuse Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen Hohe Zuverlässigkeit Gegurtet lieferbar current q High reliability q Available o
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