GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Area not flat 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 Anode 1.8 1.2 29.5 27.5 5.7 5.1 Chip position 0.6 0.4 Approx.
weight 0.5 g GEX06626 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Anwendungen q IR-Fernsteueru