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EMBA5N10G Datasheet - Excelliance MOS

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Datasheet Details

Part number:

EMBA5N10G

Manufacturer:

Excelliance MOS

File Size:

179.99 KB

Description:

Mosfet.

EMBA5N10G, MOSFET

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  150mΩ  ID  4A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=4A, RG=25

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