3DD303B
Inchange
201.98kb
Silicon power transistor.
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📁 Related Datasheet
3DD303A - Silicon Power Transistor
(Inchange)
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 40V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(.
3DD303C - Silicon Power Transistor
(Inchange)
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE.
3DD3010A1 - Silicon NPN Transistor
(Huajing Microelectronics)
NPN
○R
3DD3010A1
1 ：
3DD3010A1 NPN ，， ，、
。
：TO-92 ， RoHS 。
VCEO IC Ptot （Ta=25℃）
2 ：
TO-92
480 0.5 0.8
V A W
●
●
● ● ●
1 2 3
1. B.
3DD3015A1 - Silicon NPN Transistor
(Huajing Microelectronics)
NPN
○R
3DD3015A1
1 ：
3DD3015A1 NPN ，，
，、 BVCEO
。 ：TO-92， RoHS 。
IC Ptot （Ta=25℃）
2 ：
TO-92
450 1 0.8
V A W
● ● ● ● ●
3 ：
、， 。
1 2.
3DD3015A1-H - Silicon NPN bipolar transistor
(Huajing Microelectronics)
NPN
3DD3015 A1-H
○R
3DD3015 A1-H NPN ， ， ， 、 。
● ● ● ● ●
● ● ●
VCEO IC
Ptot （Ta=25℃）
450 1 0.8
V A W
TO-92
-10.
3DD3015A3 - Silicon NPN Transistor
(Huajing Microelectronics)
NPN
3DD3015 A3
○R
3DD3015 A3 NPN ， ， ， 、 。
● ● ● ● ●
● ● ●
VCEO IC
Ptot （Tc=25℃）
450 1.2 25
V A W
TO-251
-10℃～40.
3DD301B - Silicon Power Transistor
(Inchange)
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 50V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(.
3DD301C - Silicon Power Transistor
(Inchange)
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE.
3DD301D - Silicon Power Transistor
(Inchange)
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 150V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE.
3DD3020A3 - Silicon NPN Transistor
(Huajing Microelectronics)
NPN
○R
3DD3020A3
1 ：
3DD3020A3 NPN ， ，， ，、。 ：TO-251， ROHS 。
2 ：
● ● ● ● ●
3 ：
、， 。
VCEO IC Ptot（TC=25℃）
450 1.5 30
TO-251
V A W
12 3
.
